Business
تقول سامسونغ إلكترونيكس إن ذاكرة HBM ستشكل نحو 30% من سعة DRAM في الصناعة العام المقبل
سيول، 29 سبتمبر: قال مسؤول تنفيذي في شركة سامسونغ إلكترونيكس يوم الثلاثاء إن الذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM) من المتوقع أن تمثل ما يقرب من 30 في المئة من إجمالي طاقة الرقائق على شكل رقاقات سيليكوني
Reading language: ar. Original language: en. This article was translated automatically from the publisher's source.
FULL ARTICLE · CNA Business
29 سبتمبر 2026 09:07 صباحًا
سيول، 29 سبتمبر: قال أحد مسؤولي سامسونغ إلكترونيكس يوم الثلاثاء إن ذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM) يُتوقع أن تمثل ما يقرب من 30 في المئة من إجمالي طاقة الرقائق المنتجة على رقائق الويفر لدى شركات تصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) في العام المقبل، ارتفاعًا من نحو 20 في المئة حاليًا.
قال نائب الرئيس التنفيذي في سامسونغ إلكترونيكس كيم تايوو إن HBM وذاكرة DRAM القياسية تتنافسان على سعة الويفر نفسها، ما يعني أن زيادة إنتاج HBM قد تقيد إمدادات DRAM القياسية.
تُعد HBM مكونًا حاسمًا للحوسبة المعتمدة على الذكاء الاصطناعي، وتتألف من شرائح ذاكرة مكدسة رأسيًا تتيح للمعالجات الوصول إلى كميات هائلة من البيانات بسرعات عالية. ويهيمن على السوق كل من شركة SK Hynix الكورية الجنوبية وسامسونغ إلكترونيكس، فضلًا عن Micron Technology الأمريكية.
المصدر: رويترز
SOURCE