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Samsung Electronics déclare que la HBM représentera près de 30 % de la capacité DRAM de l’industrie l’année prochaine
SÉOUL, 29 sept. : Un dirigeant de Samsung Electronics a déclaré mardi que la mémoire à large bande passante (HBM) devrait représenter près de 30 % de la capacité totale en wafers des fabricants de puc
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FULL ARTICLE · CNA Business
29 sept. 2026 09:07
SÉOUL, 29 sept. : Un dirigeant de Samsung Electronics a déclaré mardi que la mémoire à large bande passante (HBM) devrait représenter près de 30 % de la capacité totale en wafers des fabricants de puces Dynamic Random-Access Memory (DRAM) l'an prochain, contre environ 20 % actuellement.
Le vice-président exécutif de Samsung Electronics, Kim Taewoo, a déclaré que la HBM et la DRAM standard se disputent la même capacité en wafers, ce qui signifie qu'une augmentation de la production de HBM pourrait limiter l'offre de DRAM standard.
La HBM est un composant essentiel pour le calcul de l'IA, composé de puces mémoire empilées verticalement qui permettent aux processeurs d'accéder à d'énormes quantités de données à grande vitesse. Le marché est dominé par le sud-coréen SK Hynix et Samsung Electronics, ainsi que par Micron Technology, basée aux États-Unis.
Source : Reuters
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