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三星电子称，明年HBM将占行业DRAM产能的近30%

首尔，9月29日：三星电子一位高管周二表示，高带宽内存（HBM）预计将在明年占动态随机存取存储器（DRAM）芯片制造商总晶圆产能的近30%，高于目前约20%。三星电子执行副总裁K

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FULL ARTICLE · CNA Business

2026年9月29日 09:07AM

首尔，9月29日：三星电子一名高管周二表示，预计高带宽存储器（HBM）明年将占动态随机存取存储器（DRAM）芯片制造商总晶圆产能的近30%，高于目前约20%。

三星电子执行副总裁金泰宇表示，HBM和标准DRAM争夺相同的晶圆产能，这意味着扩大HBM产出可能会限制标准DRAM供应。

HBM是人工智能计算的关键组件，由垂直堆叠的存储芯片组成，使处理器能够高速访问海量数据。该市场由韩国的SK海力士和三星电子，以及美国的美光科技主导。

来源：路透社