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Samsung Electronics dice que HBM representará casi el 30% de la capacidad de DRAM de la industria el próximo año
SEÚL, 29 de septiembre: Un ejecutivo de Samsung Electronics dijo el martes que se espera que la memoria de alto ancho de banda (HBM) represente casi el 30 por ciento de la capacidad total de obleas de
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FULL ARTICLE · CNA Business
29 Sep 2026 09:07AM
SEÚL, 29 sep: Un ejecutivo de Samsung Electronics dijo el martes que se espera que la memoria de alto ancho de banda (HBM) represente casi el 30 por ciento de la capacidad total de obleas de los fabricantes de chips de Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio (DRAM) el próximo año, frente a aproximadamente el 20 por ciento actualmente.
El vicepresidente ejecutivo de Samsung Electronics, Kim Taewoo, dijo que la HBM y la DRAM estándar compiten por la misma capacidad de obleas, lo que significa que ampliar la producción de HBM podría restringir la oferta de DRAM estándar.
La HBM es un componente crucial para la computación de IA, y consiste en chips de memoria apilados verticalmente que permiten a los procesadores acceder a vastas cantidades de datos a altas velocidades. El mercado está dominado por SK Hynix de Corea del Sur y Samsung Electronics, así como por Micron Technology, con sede en Estados Unidos.
Fuente: Reuters
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