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Samsung Electronics diz que HBM representará quase 30% da capacidade de DRAM do setor no próximo ano
SEUL, 29 de setembro: Um executivo da Samsung Electronics disse na terça-feira que a memória de alta largura de banda (HBM) deverá representar quase 30 por cento da capacidade total de wafers dos fabr
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FULL ARTICLE · CNA Business
29 Set 2026 09:07AM
SEUL, 29 de set : Um executivo da Samsung Electronics disse na terça-feira que a memória de alta largura de banda (HBM) deverá representar quase 30 por cento da capacidade total de wafer dos fabricantes de chips de Dynamic Random-Access Memory (DRAM) no próximo ano, ante cerca de 20 por cento atualmente.
O vice-presidente executivo da Samsung Electronics, Kim Taewoo, disse que HBM e a DRAM padrão competem pela mesma capacidade de wafer, o que significa que expandir a produção de HBM pode restringir a oferta de DRAM padrão.
HBM é um componente crucial para a computação de IA, consistindo em chips de memória empilhados verticalmente que permitem aos processadores acessar vastas quantidades de dados em alta velocidade. O mercado é dominado pela SK Hynix, da Coreia do Sul, e pela Samsung Electronics, além da Micron Technology, sediada nos EUA.
Fonte: Reuters
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